后曝光氮氣烘箱，PEB無塵烘箱應用工藝

   無塵烘箱所使用的高溫（100-130°C）會使光敏化合物擴散，從而消除駐波波紋.百級潔凈度無塵化，專用于半導體，集成電路。

  一種減少駐波效應的方法稱為后曝光烘烤（PEB）。所使用的高溫（100-130°C）會使光敏化合物擴散，從而消除駐波波紋。重要的是要注意，高溫對光刻膠的有害影響，如上所述的PAB，也適用于PEB。因此，優(yōu)化烘烤條件變得非常重要。此外，曝光產(chǎn)物的擴散速率取決于PAB條件-存在溶劑可以增強PEB過程中的擴散。因此，低溫后曝光烘烤可以在給定的PEB溫度下產(chǎn)生更大的擴散。

  對于常規(guī)光刻膠，PEB的主要意義在于消除駐波的擴散。對于另一類稱為化學增強光刻膠的光刻膠，PEB是產(chǎn)生曝光和未曝光部分光刻膠可溶解度差異的化學反應的必要組成部分。對于這些光刻膠，曝光產(chǎn)生一小部分強酸，它本身不會改變光刻膠的溶解度。在后曝光烘烤期間，這種光產(chǎn)生的酸催化了一種反應，改變了光刻膠中聚合物樹脂的溶解度。對于化學增強光刻膠，PEB的控制非常關鍵。

后曝光氮氣烘箱，PEB無塵烘箱性能

潔凈度：Class100;     

溫度：RT+15～300℃；
工藝氣體：N2 

計時功能：0-99H99M99S 

設備材質：內部SUS304不銹鋼           

工作尺寸（mm）：

450×450×450(4)

500×500×550(6)

600×600×700(8)

（可定制）          

網(wǎng)板：活動式2塊

無塵烘箱，百級潔凈烘箱適用性：

氮氣烘箱也適用于IC封裝、光刻膠固化、銀膠固化、電子液晶顯示、LCD、CMOS、MEMS、醫(yī)藥、實驗室等生產(chǎn)及科研.